本中心团队通过与企业联合开展横向合作，先后与中国电子科技集团第十四研究所、韩国东部半导体公司、上海新进半导体有限制造公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、华润上华科技有限公司、江阴长电科技股份有限公司等企业进行电源芯片联合研制与生产。团队在行业内首次提出了大电压输入范围同时能保持低失调输入电压的比较器电路，能够对100V以内的任意电信号进行采集比较，并保持极低的输入电流；团队还设计了恒功率的功率管控制电路，根据功率管的SOA参数进行高效控制，极大提高了功率芯片的安全特性。

团队主持完成了多个企业横向项目，在高压线性电源、高性能低压大电流LDO、高压比较器、隔离功率管驱动、GaN负压线性电源、200V高压驱动芯片研制方面取得了丰硕的成果，如：开发了6000V隔离6A驱动芯片，36V/5A线性低压差线性电源（LDO），200V/2A高压驱动器，36V/4路高压比较器，-20V/1.5A负压低压差线性电源等（图1至图3）：

图1 200V半桥功率管驱动芯片

图2 具有可编程软启动功能的7V、5.0A Ultra-LDO

图3 -20V/1.5A负压低压差线性电源芯片