本中心射频器件与集成电路团队通过开展国际合作，先后与香港科技大学、英国女王大学、悉尼科技大学、瑞典公司等，在国际上首次提出了ET新型AlxGa1-xN/ AlyGa1-yN/GaN缓变沟道HEMTs，能够降低横向电场，具有很好的线性度和低噪声特性。在国际上首次采用注入氟离子方法实现增强型AlGaN/GaN HEMT。主持完成了包括国家基金重点项目在内的多项国家级和省级重项目，在GaN线性功率器件及大信号模型、GaN HEMT高性能功率放大器研究方面取得了丰硕的成果，如：开发了扩展连续GF类功率放大器，源二次谐波操纵的混合逆连续模式功率放大器，高功率回退6dB效率Doherty功率放大器：扩展连续GF类Doherty功率放大器，宽带氮化镓功率放大器（30W功放）频率2～6 GHz，（50W功放）频率8～12 GHz，（30W功放）：频率6～18 GHz，（10W功放）：频率2～18 GHz（图1）。

图1高性能氮化镓功率放大器